本發(fā)明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測(cè)器及制備工藝，光探測(cè)器包括從上之下依次排列的電極結(jié)構(gòu)、多個(gè)層狀二硫化鉬薄膜以及襯底；電極結(jié)構(gòu)為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯(lián)二硫化鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長(zhǎng)采用化學(xué)氣相沉積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3粉末作為鉬源，硫粉作為硫源，通過(guò)控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進(jìn)入反應(yīng)的時(shí)間和反應(yīng)溫度，制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬薄膜，對(duì)設(shè)備要求低，實(shí)驗(yàn)過(guò)程簡(jiǎn)單方便、重復(fù)性高。