本發(fā)明涉及一種利用循環(huán)伏安法測定半導(dǎo)體納米晶LUMO值與HOMO值的方法，借助電化學(xué)工作站三電極體系，通過將半導(dǎo)體納米晶分散在溶劑中然后滴覆在工作電極(6)表面形成薄膜，在惰性氣體保護下對半導(dǎo)體納米晶的電化學(xué)性能進行測試，并提取納米晶發(fā)生氧化還原反應(yīng)起始位置的電勢值，進而計算半導(dǎo)體納米晶的LUMO值、HOMO值以及禁帶寬度值，實現(xiàn)半導(dǎo)體納米晶能帶結(jié)構(gòu)的準(zhǔn)確測定，所得測試結(jié)果與吸收光譜法比較偏差小。本發(fā)明所提供的方法中的滴覆方式使半導(dǎo)體納米晶在工作電極表面形成薄膜，減少了實驗用料；并通過惰性氣體的保護，避免了半導(dǎo)體納米晶的不穩(wěn)定，可以實現(xiàn)多種半導(dǎo)體納米晶的能帶結(jié)構(gòu)測定。