本發(fā)明提供了一種晶體硅體少子壽命的測試方法，包括以下步驟：S100：去除待測晶體硅表面的污垢和氧化層；將去除表面污垢和氧化層的待測晶體硅置于化學腐蝕液中浸泡30s～10min；將所述經(jīng)化學腐蝕液浸泡后的待測晶體硅進行光照處理和/或熱處理；S200：對所述經(jīng)過步驟S100處理的待測晶體硅進行厚度測量和表觀少子壽命測試；S300：將步驟S200得到的厚度和表觀少子壽命代入公式中，得到晶體硅的體少子壽命：其中，τeff代表表觀少子壽命；τbulk代表體少子壽命；Dn代表少子擴散系數(shù)；W代表待測晶體硅的厚度。利用本發(fā)明的方法大大提高了測試結(jié)果的準確度，能夠準確反映待測晶體硅的質(zhì)量，且該方法重復性好，具有很高的實際應用價值。