本發(fā)明公開了一種ZnSe納米光電探測器及其制備方法,探測器的結(jié)構(gòu)層自下而上依次為絕緣襯底、感光層和電極,其特征是感光層為n-型摻雜的ZnSe納米線。本發(fā)明采用化學(xué)氣相沉積法合成制備n型摻雜ZnSe納米線,在合成過程中通過原位摻雜實現(xiàn)n型摻雜,以及利用光刻、電子束和脈沖激光沉積工藝制備源漏電極,從而制得ZnSe納米光電探測器。本發(fā)明探測器中感光層采用n-型摻雜的ZnSe納米線,能有效增強納米光電探測器的電信號,提高其開關(guān)比;其制備方法簡單,能使ZnSe納米線平行排布,從而增加感光面積,進一步提高電信號。