本發(fā)明提供了一種基于共摻雜一維SiC納米結(jié)構(gòu)的高溫紫外光電探測(cè)器制備方法，步驟包括：對(duì)碳化硅單晶片摻雜得到鋁氮共摻雜碳化硅；通過(guò)陽(yáng)極電化學(xué)刻蝕法在鋁氮共摻雜碳化硅表面形成一維碳化硅；取一維碳化硅溶解形成分散液滴于二氧化硅片上，分散劑揮發(fā)后在二氧化硅片表面形成分散平鋪的一維碳化硅；在二氧化硅片上的一維碳化硅兩端蒸鍍高溫合金電極；二氧化硅片退火氧化在一維碳化硅表面封裝二氧化硅層。本發(fā)明提供的基于共摻雜一維SiC納米結(jié)構(gòu)的高溫紫外光電探測(cè)器制備方法，制作簡(jiǎn)單、紫外光檢測(cè)率高、能夠適應(yīng)高溫環(huán)境且高溫環(huán)境服役時(shí)間較長(zhǎng)。