本發(fā)明公開了一種研磨終點(diǎn)探測方法，包括如下步驟：發(fā)射一激光至晶圓的被研磨層；晶圓對激光進(jìn)行反射；通過分析經(jīng)由晶圓反射的反射光的光強(qiáng)信號變化來判定是否到達(dá)研磨終點(diǎn)。還公開了研磨終點(diǎn)探測裝置及研磨機(jī)臺。本發(fā)明利用晶圓的被研磨層與下一層材料反射率的差異性，通過分析反射光的光強(qiáng)變化來判斷是否研磨到下一層反射率不同的材料，當(dāng)晶圓的被研磨層被局部研磨完露出下層反射率不同的材料時，反射光信號開始變化，當(dāng)晶圓上被研磨層的全部被研磨完后反射光信號變化趨緩，即可通過研磨終點(diǎn)探測程序抓到研磨終點(diǎn)。由于研磨終點(diǎn)光學(xué)探測信號比較明顯，因此探測穩(wěn)定性和可重復(fù)性更高，且可以廣泛適用于半導(dǎo)體制造技術(shù)中的多種化學(xué)研磨工藝。