本發(fā)明涉及一種MEMS用硅單晶的缺陷檢驗(yàn)方法。第一步：從預(yù)用單晶棒的頭尾切取硅片,加工成拋光片；第二步：模擬鍵合工藝的熱過(guò)程，將硅片在400℃～600℃條件下進(jìn)爐熱處理3～5小時(shí)后取出；第三步：深度化學(xué)腐蝕，腐蝕時(shí)間為40～45min，腐蝕去除量為120～140μm時(shí)取出硅片；第四步：在硅片上畫(huà)格，再用金相顯微鏡觀(guān)察每一個(gè)方格，若存在直徑大于100μm的腐蝕坑，則判定為不合格；效果是：通過(guò)模擬MEMS工藝熱過(guò)程和深度化學(xué)腐蝕，能夠提前判定硅單晶是否合格。若硅片經(jīng)歷熱過(guò)程和深度化學(xué)腐蝕后出現(xiàn)直徑大于100μm的較大腐蝕坑，此棵單晶棒則不投入生產(chǎn)，可避免硅片在制作器件工藝過(guò)程后發(fā)現(xiàn)失效，減小了損失。