本發(fā)明提供一種FinFET鰭片摻雜濃度分布的測(cè)量樣品制備方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底，在半導(dǎo)體襯底上形成多個(gè)鰭片，在鰭片的頂部形成有硬掩膜層；形成襯墊氧化物層，以覆蓋半導(dǎo)體襯底的表面、鰭片的側(cè)壁以及硬掩膜層的側(cè)壁和頂部；在鰭片之間形成隔離結(jié)構(gòu)；沉積絕緣層，以完全填充鰭片之間的間隙；執(zhí)行化學(xué)機(jī)械研磨，直至絕緣層的頂部平坦化。本發(fā)明還提供一種FinFET鰭片摻雜濃度分布的測(cè)量方法，包括：將制備好的測(cè)量樣品分割為結(jié)構(gòu)完全相同的第一子樣品和第二子樣品；分別對(duì)第一子樣品和第二子樣品實(shí)施二次離子質(zhì)譜分析和透射電子顯微鏡橫截面分析；將得到的分析數(shù)據(jù)傳送至工藝計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)工具模擬計(jì)算分析得到鰭片摻雜濃度分布。由此提高測(cè)量精確度。