本發(fā)明提供一種金屬薄膜缺陷的檢測方法，先在半導體襯底上形成具有銅析出物的金屬薄膜，然后執(zhí)行濕法清洗工藝以在所述金屬薄膜的表面形成與所述銅析出物對應的空洞，在執(zhí)行濕法清洗工藝的過程中，濕法清洗工藝的清洗液會與金屬薄膜表面的銅析出物發(fā)生化學反應從而形成所述空洞，通過空洞可以簡單、準確及快速的得到金屬薄膜表面的銅析出物的缺陷分布。進一步的，通過掃描所述金屬薄膜以獲得所述金屬薄膜表面預定區(qū)域內的空洞的數量，可將金屬薄膜表面的銅析出物缺陷可量化，由此可以表征金屬薄膜的銅析出物缺陷的含量，從而通過銅析出物的含量評估金屬薄膜的質量。