本發(fā)明涉及一種近紅外量子點(diǎn)單光子源的制備方法及檢測(cè)方法，目的是為了解決單量子點(diǎn)產(chǎn)生單光子的過(guò)程中會(huì)發(fā)生俄歇電離或者載流子俘獲，從而造成單量子點(diǎn)熒光輻射出現(xiàn)熒光中斷甚至熒光淬滅等現(xiàn)象的技術(shù)問(wèn)題。本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是：一種近紅外量子點(diǎn)單光子源的制備方法，包括以下步驟：將蓋玻片表面進(jìn)行清潔；對(duì)蓋玻片表面進(jìn)行氨基功能化處理；將近紅外單量子點(diǎn)通過(guò)化學(xué)鍵固定在蓋玻片上；將單量子點(diǎn)浸沒(méi)在保護(hù)劑中；加蓋另外的一個(gè)蓋玻片防止保護(hù)劑的蒸發(fā)和隔離外界環(huán)境的影響；本發(fā)明通過(guò)保護(hù)劑薄膜有效地消除近紅外單量子點(diǎn)的電離態(tài)來(lái)有效地抑制近紅外單量子點(diǎn)的熒光輻射中斷和光漂白，從而使量子點(diǎn)產(chǎn)生穩(wěn)定的單光子輻射。