本發(fā)明公開了一種多孔氧化鈰納米管陣列電極的制備方法及其對過氧化氫的檢測,本發(fā)明借助ZnO納米線陣列作為模板,采用連續(xù)離子層吸附的技術(shù),在ZnO納米線陣列表面吸附了一定厚度的Ce3+離子,通過后續(xù)的熱處理得到大面積的ZnO/CeO2芯殼結(jié)構(gòu)納米陣列樣品;采用簡便易行的腐蝕方法,用PH=2的硝酸完全腐蝕模板,得到多孔二氧化鈰納米管陣列;用循環(huán)伏安法測試該電極的活性,能夠檢測出多種低濃度的過氧化氫,這種電極及其制備方法,有望通過
電化學(xué)測試檢測多種體系中存在的痕量過氧化氫。
聲明:
“多孔氧化鈰納米管陣列電極的制備方法及其對過氧化氫的檢測” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)