公開(kāi)了一種用于在化學(xué)機(jī)械拋光制程中檢測(cè)終點(diǎn)的系統(tǒng)與方法,包括利用第一寬頻帶光束(132)照射晶片(300)表面的第一部分。接收第一反射光譜數(shù)據(jù)。第一反射光譜數(shù)據(jù)(308)對(duì)應(yīng)于從晶片表面的第一照射部分反射的第一光譜的光。利用第二寬頻帶光束照射晶片表面的第二部分。第二反射光譜數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)于從晶片表面的第二照射部分反射的第二光譜的光。將第一反射光譜數(shù)據(jù)和第二反射光譜數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn)化,基于標(biāo)準(zhǔn)化的第一光譜數(shù)據(jù)與第二光譜數(shù)據(jù)之間的差別來(lái)確定終點(diǎn)。