本發(fā)明提供了一種基于量子點(diǎn)?納米通道的銅離子檢測(cè)方法,包括步驟:制備CdSe@ZIF?8/PAA膜;利用所述CdSe@ZIF?8/PAA膜制成與倒置熒光顯微鏡適配的
芯片,所述芯片包括儲(chǔ)液池,所述CdSe@ZIF?8/PAA膜位于所述儲(chǔ)液池內(nèi),其中,所述儲(chǔ)液池內(nèi)還置有工作電極,所述工作電極與
電化學(xué)工作站電連;在所述儲(chǔ)液池中加入電解質(zhì)溶液和Cu
2+溶液,所述電化學(xué)工作站施加電位實(shí)現(xiàn)Cu
2+富集,通過(guò)所述倒置熒光顯微鏡對(duì)所述儲(chǔ)液池進(jìn)行熒光光譜掃描,并獲取光譜信號(hào),實(shí)現(xiàn)對(duì)Cu
2+的檢測(cè)。本發(fā)明提供的檢測(cè)方法,便于操作且成本低,且既能檢測(cè)到痕量的銅離子,也能使檢測(cè)過(guò)程可視化。
聲明:
“基于量子點(diǎn)-納米通道的銅離子檢測(cè)方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)