一種化學(xué)機(jī)械拋光仿真的方法和裝置，其中，所述CMP仿真的方法包括：輸入芯片版圖，芯片版圖包括多個圖形；將芯片版圖劃分初始網(wǎng)格，初始網(wǎng)格包括多個子網(wǎng)格，計(jì)算初始網(wǎng)格的圖形特征；對初始網(wǎng)格進(jìn)行移位，產(chǎn)生移位網(wǎng)格，計(jì)算初始網(wǎng)格和移位網(wǎng)格的平均圖形特征；根據(jù)初始網(wǎng)格的圖形特征，進(jìn)行CMP仿真，對芯片版圖上存在的第一熱點(diǎn)進(jìn)行定位；根據(jù)所述平均圖形特征以及定位的第一熱點(diǎn)，對初始網(wǎng)格的圖形特征進(jìn)行修正，產(chǎn)生優(yōu)化網(wǎng)格的圖形特征；根據(jù)優(yōu)化網(wǎng)格的圖形特征，進(jìn)行CMP仿真，對芯片版圖上存在的第二熱點(diǎn)進(jìn)行定位。本發(fā)明實(shí)施例的方法，考慮到近鄰子網(wǎng)格間的長程關(guān)聯(lián)效應(yīng)，減少了錯誤熱點(diǎn)的預(yù)測數(shù)量，提高了CMP仿真的準(zhǔn)確性。