一種調(diào)節(jié)拋光墊的平整表面的方法,設(shè)備和介質(zhì)包括:在具有拋光墊(1080)和調(diào)節(jié)盤(1030)的化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)設(shè)備(100)中安放待拋光晶片;在第一套墊調(diào)節(jié)參數(shù)下拋光該晶片,選擇該套參數(shù)是為將晶片材料去除速率保持在預(yù)選的最小和最大去除速率范圍內(nèi);確定發(fā)生在拋光步驟期間的晶片材料去除速率;計(jì)算更新的墊調(diào)節(jié)參數(shù)以將晶片材料去除速率保持在最大和最小去除速率范圍內(nèi);以及用該更新的墊調(diào)節(jié)參數(shù)調(diào)節(jié)該拋光墊(1080),其中該更新的墊調(diào)節(jié)參數(shù)用墊磨損和調(diào)節(jié)模型計(jì)算,該模型基于諸如該調(diào)節(jié)盤的調(diào)節(jié)向下的力和旋轉(zhuǎn)速度等調(diào)節(jié)參數(shù)預(yù)測(cè)該拋光墊的該晶片材料去除速率。