等離子體增強化學(xué)氣相沉積制備二維材料的系統(tǒng)及方法，屬于二維材料制備技術(shù)領(lǐng)域。所述系統(tǒng)包括真空系統(tǒng)、襯底加熱系統(tǒng)、等離子體增強系統(tǒng)和進氣管路；真空系統(tǒng)含有鍍膜腔室和進樣腔室，在鍍膜腔室和進樣腔室上均分別設(shè)有進氣口、出氣口以及多個觀測窗口。本發(fā)明旨在利用等離子體輔助促成前驅(qū)體反應(yīng)裂解，并在超高真空下實現(xiàn)對襯底表面和腔體的清潔，在通過特殊設(shè)計進氣管路進行前驅(qū)體定點供給，從而實現(xiàn)在多種材料表面上制備二維材料。本發(fā)明強調(diào)環(huán)境和表面的超高清潔對于二維材料生長的輔助作用，并以此系統(tǒng)與方法實現(xiàn)二維薄膜材料的生長，取消傳統(tǒng)的轉(zhuǎn)移過程對材料的破壞以及高溫生長對襯底的局限性。