本發(fā)明公開了一種GaN基光化學離子傳感器及其制備方法，其制備方法包括：1)Si襯底上依次生長n型GaN緩沖層和n型GaN層；2)n型GaN層上生長本征摻雜GaN層；3)本征摻雜GaN層上生長p型GaN層；4)選擇性刻蝕外延層材料形成刻蝕臺面，在刻蝕臺面外側及側壁上沉積Al₂O₃層；5)在Al₂O₃層外側淀積暴露在待測環(huán)境中的探測區(qū)域，用于將金屬離子濃度轉換為電信號，所述探測區(qū)域為TiO₂層；6)利用光刻、金屬蒸鍍技術，淀積上金屬電極和下金屬電極。本發(fā)明的優(yōu)勢是利用TiO₂光化學效應，通過光激發(fā)TiO₂產(chǎn)生的電子?空穴對，使TiO₂表面吸附的金屬離子發(fā)生離子置換效應，從而引起GaN材料的載流子濃度以及電信號發(fā)生變化。