本發(fā)明提供一種延長研磨墊使用周期的化學(xué)機(jī)械研磨（CMP）方法，屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域。該CMP方法包括第一CMP階段和第二CMP階段，在第二CMP階段應(yīng)用光學(xué)終止點(diǎn)檢測裝置時存在終止點(diǎn)抓取的準(zhǔn)備時間段（tp2）；其中，在第二CMP階段的研磨前準(zhǔn)備步驟設(shè)置為通過時間控制和終止點(diǎn)檢測控制結(jié)合的模式，以準(zhǔn)備時間段（tp2）從第二CMP階段的主研磨步驟中前移至所述研磨前準(zhǔn)備步驟中；并且，延長第一CMP階段的主研磨步驟的時間（tp1），以使在該延長的時間（tp1）內(nèi)的研磨厚度基本等于第二CMP階段的主研磨在該準(zhǔn)備時間段內(nèi)（tp2）的研磨厚度。該CMP方法容易與現(xiàn)有CMP制程兼容，效率高。