本發(fā)明涉及集成電路制造工藝和版圖設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種化學機械研磨的缺陷檢測方法，該方法包括：提取CMP工藝前的材料結(jié)構(gòu)信息；確定CMP相關(guān)工藝參數(shù)；建立符合CMP去除機理的CMP預(yù)測模型；進行CMP缺陷檢測版圖設(shè)計，確定CMP工藝缺陷產(chǎn)生條件。利用本發(fā)明可以在版圖設(shè)計階段最小化化學機械研磨工藝缺陷區(qū)域面積，從而減小冗余金屬填充數(shù)量，提高產(chǎn)品優(yōu)良率。