本發(fā)明涉及用于三聚氰胺檢測(cè)的新型
電化學(xué)傳感器的制備,尤其涉及一種金納米顆粒修飾氧化銦錫電極的制備方法。用三聚氰胺處理ITO/GNP電極得到的ITO/GNP/MLM電極作為工作電極進(jìn)行鐵氰酸鹽(K3[Fe(CN)6])的循環(huán)伏安曲線測(cè)量時(shí),由于三聚氰胺對(duì)[Fe(CN)6]3-離子擴(kuò)散的抑制作用導(dǎo)致循環(huán)伏安曲線的峰值電流減小,峰值電勢(shì)增大,并且所使用的三聚氰胺濃度不同時(shí),這種抑制作用就越大,所以可以用這種電化學(xué)的方法實(shí)現(xiàn)對(duì)三聚氰胺的間接檢測(cè)。
聲明:
“基于金納米顆粒修飾氧化銦錫電極的用于三聚氰胺檢測(cè)的新型電化學(xué)傳感器制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)