本申請(qǐng)?zhí)峁┑囊环N化學(xué)機(jī)械研磨機(jī)臺(tái)缺陷檢測(cè)方法，通過利用待檢測(cè)的化學(xué)機(jī)械研磨機(jī)臺(tái)研磨將具有第一厚度的氧化硅膜層研磨成具有第二厚度的氧化硅膜層，這樣待檢測(cè)的化學(xué)機(jī)械研磨機(jī)臺(tái)的缺陷會(huì)導(dǎo)致所述具有第二厚度的氧化硅膜層上具有缺陷，可以直接檢測(cè)具有第二厚度的氧化硅膜層上的缺陷，避免了對(duì)待檢測(cè)的化學(xué)機(jī)械研磨機(jī)臺(tái)進(jìn)行檢測(cè)的復(fù)雜的步驟。進(jìn)一步的，在所述具有第二厚度的氧化硅膜層上形成第二膜層，由于所述第二膜層的透明度小于所述具有第二厚度的氧化硅膜層，在去除所述第二膜層過程中，所述第二膜層的顆粒會(huì)殘留在所述缺陷內(nèi)，使所述缺陷的邊界更加明顯，這樣在對(duì)缺陷檢測(cè)時(shí)，可以使缺陷更加容易的被檢測(cè)到，可以大大的降低漏檢的可能，提高了檢測(cè)的準(zhǔn)確度。