本發(fā)明涉及芯片測(cè)試領(lǐng)域，具體公開(kāi)了一種功率半導(dǎo)體芯片的魯棒性測(cè)試方法，在老化過(guò)程中獲取待測(cè)芯片表面溫度梯度的分布(而非溫度的分布)，作為芯片異常檢測(cè)和體質(zhì)篩選過(guò)程中數(shù)據(jù)處理的來(lái)源和判斷依據(jù)，在獲得當(dāng)前芯片的溫度梯度信息之后，利用異常檢測(cè)與體質(zhì)篩選算法，進(jìn)行魯棒性自動(dòng)化測(cè)試。本發(fā)明能夠更早的發(fā)現(xiàn)芯片熱電魯棒性上的缺陷，及時(shí)發(fā)現(xiàn)更深層次的魯棒性問(wèn)題(如熱量異常集中、散熱不均勻)，定量而非僅定性的得到基礎(chǔ)數(shù)據(jù)(如溫度梯度及隨時(shí)間的變化)；相比于傳統(tǒng)老化方法每個(gè)批次數(shù)天甚至數(shù)十天的檢測(cè)周期，本發(fā)明在數(shù)十分鐘至數(shù)小時(shí)內(nèi)采集到的數(shù)據(jù)即可完成芯片的魯棒性測(cè)試，節(jié)省更多的時(shí)間，有效地提高生產(chǎn)效率。