本發(fā)明公開了MEMS芯片領(lǐng)域的一種高性能Ti?Co?RE靶材及大吸氣量薄膜吸氣劑制備的方法，包括高性能Ti?Co?RE薄膜吸氣劑靶材；所述高性能Ti?Co?RE薄膜吸氣劑靶材的合金配方為：Ti_100?x?yCo_xRE_y，其成分范圍為：15wt％≤x≤25wt％、5wt％≤y≤15wt％；將上述配方質(zhì)量百分比配料后放入真空熔煉制備合金鑄錠、對鑄錠進(jìn)行致密化處理、靶材尺寸加工，用其合金靶材，通過磁控濺射，在硅晶元基體樣品上進(jìn)行濺射，制備成吸氣薄膜。本發(fā)明制備的吸氣薄膜具有低的激活溫度和良好的吸氣性能。