本發(fā)明公開了一種硅基發(fā)光二極管的制備方法,其包括以下步驟:S1:制備鉺硅氧溶膠;S2:在p型摻雜的硅基體上涂敷所述鉺硅氧溶膠,制備鉺硅酸鹽無機化合物與富硅氧化硅混合物薄膜作為本征層;S3:在p型摻雜的硅基體上沉積一層磷摻雜的硅材料制作n型電極,形成硅基發(fā)光二極管。本發(fā)明通過制備鉺硅酸鹽無機化合物與富硅氧化硅混合物薄膜作為硅基發(fā)光二極管的本征層,將鉺硅酸鹽無機化合物中鉺離子濃度提高1-2個數(shù)量級,富硅氧化硅中納米硅和鉺離子之間的高效能量傳遞效率可以實現(xiàn)電致發(fā)光,從而實現(xiàn)發(fā)光二極管獲得強的通信波段1.53μm的電致發(fā)光。