本發(fā)明屬于半導體器件制作領域，涉及穩(wěn)壓二極管生產(chǎn)領域，尤其涉及一種穩(wěn)壓二極管及其制造方法。穩(wěn)壓二極管包括背面電極層、襯底N+、外延層N??、外延層N?、正電極區(qū)P+、保護擴散環(huán)P++、鈍化層和銀臺電極，本發(fā)明的穩(wěn)壓二極管設計使用N+/N??/N?雙外延層外延片，利用雙擴散工藝制作PN結，鈍化層包括由下到上依次設置的二氧化硅和氮化硅；工藝中采用PECVD工藝和雙擴散結構制作工藝技術，簡化工藝步驟的同時提高了芯片的性能。本發(fā)明的穩(wěn)壓二極管制造方法相較于傳統(tǒng)工藝流程改動小，因此具有兼容性好、實用性強的特點。