本申請公開了半導(dǎo)體器件的性能檢測方法和檢測模型的建立方法,半導(dǎo)體器件的性能檢測方法包括步驟:將待測半導(dǎo)體器件的溝道尺寸輸入到檢測模型中;所述檢測模型根據(jù)所述待測半導(dǎo)體器件的溝道尺寸,將所述待測半導(dǎo)體器件對應(yīng)到由多個(gè)點(diǎn)模型構(gòu)成的塊模型區(qū)中;所述檢測模型將所述塊模型區(qū)中多個(gè)點(diǎn)模型的溝道尺寸和器件特性輸入到差值公式中,形成聯(lián)立方程式,并通過所述聯(lián)立方程式得出所述待測半導(dǎo)體器件的關(guān)系參數(shù);所述檢測模型將所述待測半導(dǎo)體器件的關(guān)系參數(shù)和溝道尺寸代入到差值公式中,得到所述待測半導(dǎo)體器件的器件特性,并輸出所述器件特性作為檢測結(jié)果。通過上述檢測方法可以準(zhǔn)確地檢測出半導(dǎo)體器件的器件特性,且節(jié)省了時(shí)間和成本。
聲明:
“半導(dǎo)體器件的性能檢測方法和檢測模型的建立方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)