本發(fā)明涉及一種低溫制備多孔碳化硅(SiC)多孔支撐體的方法。使用十二烷基苯磺酸鈉(SDBS)和ZrO2作為燒結(jié)助劑,活性炭粉作為造孔劑,碳化硅粉體為骨料混合均勻,通過干壓成型得到胚體,經(jīng)烘箱干燥后,按燒結(jié)溫度進行燒結(jié),在1150℃左右即制備出碳化硅支撐體。該方法可降低燒結(jié)溫度,能夠節(jié)約能耗。本發(fā)明制備出來的支撐體具有高強度、高氣體滲透性能、優(yōu)良的化學穩(wěn)定性,在高溫煙氣除塵、廢水處理等方面具有很廣泛的應(yīng)用前景。
聲明:
“低溫制備多孔碳化硅支撐體的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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