本發(fā)明公開了一種基于
鈣鈦礦納米線徑向結(jié)的光電探測器及制備方法,包括探測器襯底、底電極、鈣鈦礦核心納米線、鈣鈦礦第一外延殼層、鈣鈦礦第二外延殼層、頂電極。所述鈣鈦礦核心納米線為p型納米線或者n型納米線,所述鈣鈦礦第一外延殼層為本征層,第二外延殼層為n型層或者p型層;鈣鈦礦核心納米線、第一外延殼層和第二外延殼層構(gòu)成徑向pin結(jié)或者nip結(jié);所述底電極與頂電極層分別于鈣鈦礦核心納米線和第二外延殼層構(gòu)成歐姆接觸。本發(fā)明由納米線陣列及其徑向結(jié)增大了光電效應(yīng)的有效作用面積,提高光電轉(zhuǎn)換量子效率;納米線徑向具有準(zhǔn)單晶結(jié)構(gòu),提高光生載流子輸運(yùn)能力,進(jìn)而增大探測外量子效率。
聲明:
“基于鈣鈦礦納米線徑向結(jié)的光電探測器及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)