本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體光電探測(cè)器領(lǐng)域，尤其涉及一種鈣鈦礦X射線探測(cè)器的封裝面板及其制備方法；鈣鈦礦材料層，鋁膜層，以及薄膜層，鋁膜層設(shè)置于鈣鈦礦材料層與薄膜層之間，且與鈣鈦礦材料層和薄膜層相鄰設(shè)置；其中，薄膜層為含硅元素的一個(gè)或多個(gè)無機(jī)薄膜層；所述方法包括：對(duì)基板的表面進(jìn)行TFT驅(qū)動(dòng)器件成型，再在成型的TFT驅(qū)動(dòng)器件表面進(jìn)行鈣鈦礦材料層成型，得到功能單元；在功能單元中鈣鈦礦材料層的表面貼封鋁膜層，后在鋁膜層表面上沉積第一無機(jī)薄膜層和第二無機(jī)薄膜層，得到含防水氧結(jié)構(gòu)的封裝面板；通過鋁膜層和薄膜層，避免水氧環(huán)境對(duì)鈣鈦礦層材料的侵蝕，起到有效封裝。