一種調(diào)整Ag?ITO
復(fù)合材料近紅外區(qū)吸收峰波長(zhǎng)的方法,屬于納米光吸收材料技術(shù)領(lǐng)域,本發(fā)明方法中Ag?ITO復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)是結(jié)合模板法,以聚苯乙烯小球陣列為模板,Ag和ITO經(jīng)磁控濺射的方法獲得。本發(fā)明方法根據(jù)金屬半導(dǎo)體載流子濃度可調(diào)的性質(zhì),通過(guò)增大ITO濺射功率,增加ITO含量,減小載流子濃度等手段,不僅提高了近紅外區(qū)的吸收效率,還能夠控制半導(dǎo)體ITO的含量進(jìn)而使吸收峰在從1079nm紅移至1214nm的范圍內(nèi)精確調(diào)控,有望開(kāi)發(fā)新型的生物
芯片和光電器件等材料。
聲明:
“調(diào)整Ag-ITO復(fù)合材料近紅外區(qū)吸收峰波長(zhǎng)的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)