本發(fā)明涉及一種SiC/SiC
復(fù)合材料高致密多層基體及制備方法,將配置好的SiC顆粒(SiCp)漿料通過(guò)真空浸漬和壓力浸漬的方法,引入到多孔SiC/SiC復(fù)合材料中,然后采用CVI法在多孔SiC/SiC復(fù)合材料中制備一定含量的熱解碳,使其均勻包裹SiC顆粒,最后采用RMI法通過(guò)熱解碳與熔融硅的反應(yīng)完成SiC/SiC復(fù)合材料的致密化。不同粒徑SiC顆粒的依次引入,形成分層結(jié)構(gòu),對(duì)后續(xù)制備PyC和SiC基體產(chǎn)生遺傳效應(yīng),獲得了均勻高體積分?jǐn)?shù)的SiC基體相,增加了復(fù)合材料致密度,增加了裂紋擴(kuò)展的能量,有效提高了復(fù)合材料力學(xué)性能。該方法制備的復(fù)合材料具有高體積分?jǐn)?shù)均勻分布的SiC基體相,高的力學(xué)性能和低的開(kāi)氣孔率,解決了目前RMI工藝方法制備SiC/SiC基體中SiC相含量低分布不均勻和強(qiáng)韌性不足的問(wèn)題。
聲明:
“SiC/SiC復(fù)合材料高致密多層基體及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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