權(quán)利要求

1.半導(dǎo)體封裝器件，其特征在于，包括： 基板，所述基板一側(cè)上設(shè)置有結(jié)構(gòu)槽，所述基板上設(shè)置有兩個(gè)通孔； 發(fā)光器件，包括器件本體和設(shè)置在器件本體上的兩個(gè)電極，兩個(gè)所述電極與兩個(gè)所述通孔一一配合，且所述器件本體通過(guò)所述電極設(shè)置于所述基板上； 封裝層，所述封裝層設(shè)置在所述基板具有所述結(jié)構(gòu)槽的一側(cè)，且所述封裝層覆蓋于所述發(fā)光器件和結(jié)構(gòu)槽，所述封裝層的材質(zhì)為氟樹(shù)脂材料或旋涂玻璃材料； 高反射層，所述高反射層設(shè)置在所述基板設(shè)置有所述結(jié)構(gòu)槽的一側(cè)，所述高反射層設(shè)置有兩個(gè)開(kāi)口，其中一個(gè)所述開(kāi)口與所述結(jié)構(gòu)槽相匹配，另一個(gè)所述開(kāi)口與兩個(gè)所述電極相匹配，所述封裝層經(jīng)由所述開(kāi)口與所述基板相連接，且部分所述封裝層位于所述結(jié)構(gòu)槽內(nèi)。2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝器件，其特征在于，所述結(jié)構(gòu)槽包括沿所述器件本體的周向設(shè)置的第一凹槽，所述第一凹槽向背離所述封裝層的方向凹陷。 3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝器件，其特征在于，所述第一凹槽包括貫通所述基板表面的第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第二區(qū)域與所述第一區(qū)域連通，所述第二區(qū)域用于防止所述封裝層從所述第一區(qū)域脫出。 4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝器件，其特征在于，所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域在所述基板的厚度方向的縱截面上組成倒T型、土字型、箭頭型或倒F型。 5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝器件，其特征在于，所述第一區(qū)域與所述基板表面成夾角設(shè)置，所述夾角的范圍為大于30°且小于60°。 6.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝器件，其特征在于，所述第一凹槽的數(shù)量為單個(gè)或多個(gè)，所述第一凹槽的數(shù)量為多個(gè)時(shí)，多個(gè)所述第一凹槽沿發(fā)光器件的周向布設(shè)；所述第一凹槽的數(shù)量為單個(gè)時(shí)，單個(gè)所述第一凹槽沿發(fā)光器件的周向開(kāi)設(shè)。 7.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝器件，其特征在于，所述基板上設(shè)置有粗糙結(jié)構(gòu)，所述粗糙結(jié)構(gòu)位于第一凹槽內(nèi)部，所述粗糙結(jié)構(gòu)包括多個(gè)槽體，多個(gè)所述槽體用于增加所述封裝層與所述第一凹槽的接觸面積。 8.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝器件，其特征在于，所述結(jié)構(gòu)槽還包括第二凹槽，且所述第二凹槽位于兩個(gè)所述通孔之間，所述第二凹槽用所述封裝層填充。 9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝器件，其特征在于，所述高反射層上設(shè)置空置區(qū)，所述空置區(qū)為圓環(huán)型設(shè)置，所述空置區(qū)沿所述結(jié)構(gòu)槽周向設(shè)置，所述封裝層經(jīng)由所述空置區(qū)與所述基板表面固定。

說(shuō)明書(shū)

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及器件封裝領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體封裝器件。

背景技術(shù)

隨著時(shí)代的發(fā)展新型電子元器件逐漸普及，人們對(duì)于這些電子器件的需求也越來(lái)越大，其中電子器件的封裝有利于電子器件的保存和保護(hù)，也受到了很大的重視。

常規(guī)的發(fā)光器件的封裝直接使用硅膠材料在硅膠固化后會(huì)黏合在基板上，從而對(duì)發(fā)光器件形成有效的保護(hù)，但是紫外器件尤其是深紫外器件的封裝由于其光子能量高，所以不能使用常規(guī)的硅膠材料進(jìn)行封裝，因此在封裝紫外器件時(shí)經(jīng)常使用藍(lán)寶石、石英玻璃作為器件封裝的光學(xué)透過(guò)材料。但是石英藍(lán)寶石材料都是高溫制備材料，所以只能先制備好之后再用在封裝工藝中，而不能像有機(jī)硅膠材料一樣在工藝制備過(guò)程中進(jìn)行固化，在光學(xué)透光材料與發(fā)光器件之間存在一層空氣介質(zhì)層，由于發(fā)光器件與空氣、透光材料之間的折射率差異使得此種封裝形式中光提取效率很低，大量光無(wú)法發(fā)射到封裝器件外部。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的是提出一種半導(dǎo)體封裝器件，旨在對(duì)器件進(jìn)行更好的封裝，提高封裝器件的光提取效率與可靠性。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出一種半導(dǎo)體封裝器件，所述半導(dǎo)體封裝器件包括：

基板，所述基板一側(cè)上設(shè)置有結(jié)構(gòu)槽，所述基板上設(shè)置有兩個(gè)通孔；

發(fā)光器件，包括器件本體和設(shè)置在器件本體上的兩個(gè)電極，兩個(gè)所述電極與兩個(gè)所述通孔一一配合，且所述器件本體通過(guò)所述電極設(shè)置于所述基板上；

封裝層，所述封裝層設(shè)置在所述基板具有所述結(jié)構(gòu)槽的一側(cè)，且所述封裝層覆蓋于所述發(fā)光器件和結(jié)構(gòu)槽，所述封裝層的材質(zhì)為氟樹(shù)脂材料或旋涂玻璃材料;

高反射層，所述高反射層設(shè)置在所述基板設(shè)置有所述結(jié)構(gòu)槽的一側(cè)，所述高反射層設(shè)置有兩個(gè)開(kāi)口，其中一個(gè)所述開(kāi)口與所述結(jié)構(gòu)槽相匹配，另一個(gè)所述開(kāi)口與兩個(gè)所述電極相匹配，所述封裝層經(jīng)由所述開(kāi)口與所述基板相連接，且部分所述封裝層位于所述結(jié)構(gòu)槽內(nèi)。

可選地，所述結(jié)構(gòu)槽包括沿所述器件本體的周向設(shè)置的第一凹槽，所述第一凹槽向背離所述封裝層的方向凹陷。

可選地，所述第一凹槽包括貫通所述基板表面的第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第二區(qū)域與所述第一區(qū)域連通，所述第二區(qū)域用于防止所述封裝層從所述第一區(qū)域脫出。

可選地，所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域在所述基板的厚度方向的縱截面上組成倒T型、土字型、箭頭型或倒F型。

可選地，所述第一區(qū)域與所述基板表面成夾角設(shè)置，所述夾角的范圍為大于30°且小于60°。

可選地，所述第一凹槽的數(shù)量為單個(gè)或多個(gè)，所述第一凹槽的數(shù)量為多個(gè)時(shí)，多個(gè)所述第一凹槽沿發(fā)光器件的周向布設(shè)；所述第一凹槽的數(shù)量為單個(gè)時(shí)，單個(gè)所述第一凹槽沿發(fā)光器件的周向開(kāi)設(shè)。

可選地，所述結(jié)構(gòu)槽還包括第二凹槽，且所述第二凹槽位于兩個(gè)所述通孔之間，所述第二凹槽用所述封裝層填充。

可選地，所述基板上設(shè)置有粗糙結(jié)構(gòu)，所述粗糙結(jié)構(gòu)位于第一凹槽內(nèi)部，所述粗糙結(jié)構(gòu)包括多個(gè)槽體，多個(gè)所述槽體用于增加所述封裝層與所述第一凹槽的接觸面積。

可選地，所述高反射層上設(shè)置空置區(qū)，所述空置區(qū)為圓環(huán)型設(shè)置，所述空置區(qū)沿所述結(jié)構(gòu)槽周向設(shè)置，所述封裝層經(jīng)由所述空置區(qū)與所述基板表面固定。

在本發(fā)明的技術(shù)方案中，首先在基板一側(cè)設(shè)置結(jié)構(gòu)槽以及兩個(gè)通孔，之后將發(fā)光器件所具備的兩個(gè)電極與上述通孔一一配合，最后將封裝層覆蓋于發(fā)光器件上以及進(jìn)入結(jié)構(gòu)槽內(nèi)部，由于設(shè)置了結(jié)構(gòu)槽能夠很好的增強(qiáng)封裝層與基板的結(jié)合力，使得封裝層不易與基板分離，而封裝層的材質(zhì)選用氟樹(shù)脂材料或旋涂玻璃材料，由于氟樹(shù)脂材料或旋涂玻璃材料具備高透光性以及內(nèi)部鍵能高的特性，所以本方案的半導(dǎo)體封裝器件可以適用的發(fā)光器件的種類非常廣且透光性好。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖示出的結(jié)構(gòu)獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明半導(dǎo)體封裝器件一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明半導(dǎo)體封裝器件圖1中A部分一種實(shí)施例的局部放大圖；

圖3為本發(fā)明半導(dǎo)體封裝器件圖1中A部分的另一種實(shí)施例的局部放大圖；

圖4為本發(fā)明半導(dǎo)體封裝器件的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明半導(dǎo)體封裝器件的俯視圖；

圖6為本發(fā)明半導(dǎo)體封裝器件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明半導(dǎo)體封裝器件倒T型結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本發(fā)明半導(dǎo)體封裝器件土型結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為本發(fā)明半導(dǎo)體封裝器件箭頭型結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10為本發(fā)明半導(dǎo)體封裝器件彎土型結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11為本發(fā)明半導(dǎo)體封裝器件斜土型結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12為本發(fā)明圖11中B部分的局部放大圖；

圖13為本發(fā)明半導(dǎo)體封裝器件的倒F結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)號(hào)說(shuō)明：

本發(fā)明目的的實(shí)現(xiàn)、功能特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)將結(jié)合實(shí)施例，參照附圖做進(jìn)一步說(shuō)明。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

需要說(shuō)明，若本發(fā)明實(shí)施例中有涉及方向性指示（諸如上、下、左、右、前、后……），則該方向性指示僅用于解釋在某一特定姿態(tài)（如附圖所示）下各部件之間的相對(duì)位置關(guān)系、運(yùn)動(dòng)情況等，如果該特定姿態(tài)發(fā)生改變時(shí)，則該方向性指示也相應(yīng)地隨之改變。

另外，若本發(fā)明實(shí)施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，則該“第一”、“第二”等的描述僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示其相對(duì)重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括至少一個(gè)該特征。另外，各個(gè)實(shí)施例之間的技術(shù)方案可以相互結(jié)合，但是必須是以本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)為基礎(chǔ)，當(dāng)技術(shù)方案的結(jié)合出現(xiàn)相互矛盾或無(wú)法實(shí)現(xiàn)時(shí)應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種技術(shù)方案的結(jié)合不存在，也不在本發(fā)明要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。

常規(guī)的發(fā)光器件2000的封裝直接使用硅膠材料在硅膠固化后會(huì)黏合在基板1000上，從而對(duì)發(fā)光器件2000形成有效的保護(hù)。

但是紫外器件尤其是深紫外器件的封裝由于其光子能量高，所以不能使用常規(guī)的硅膠材料進(jìn)行封裝，因此在封裝紫外器件時(shí)經(jīng)常使用藍(lán)寶石、石英玻璃作為器件封裝的光學(xué)透過(guò)材料。但是石英藍(lán)寶石材料都是高溫制備材料，所以只能先制備好之后再用在封裝工藝中，而不能像有機(jī)硅膠材料一樣在工藝制備過(guò)程中進(jìn)行固化，從而使光學(xué)透過(guò)材料完全附著在器件表面。

不能完全附著在器件表面就會(huì)導(dǎo)致，光學(xué)透過(guò)材料與器件之間間隔一層空氣層，器件內(nèi)部紫外光進(jìn)入空氣層由于折射率差異使得光反射回器件內(nèi)部，光提取效率很低。

基于上述原因發(fā)明一種半導(dǎo)體封裝器件，參考圖1和圖4包括：基板1000，所述基板1000一側(cè)上設(shè)置有結(jié)構(gòu)槽1100，所述基板1000上設(shè)置有兩個(gè)通孔1200；發(fā)光器件2000，包括器件本體2200和設(shè)置在器件本體2200上的兩個(gè)電極2100，兩個(gè)所述電極2100與兩個(gè)所述通孔1200一一配合，且所述器件本體2200通過(guò)所述電極2100設(shè)置于所述基板1000上；封裝層3000，所述封裝層3000設(shè)置在所述基板1000具有所述結(jié)構(gòu)槽1100的一側(cè)，且所述封裝層3000覆蓋于所述發(fā)光器件2000和結(jié)構(gòu)槽1100，所述封裝層3000的材質(zhì)為氟樹(shù)脂材料或旋涂玻璃材料；高反射層4000，所述高反射層4000設(shè)置在所述基板1000設(shè)置有所述結(jié)構(gòu)槽1100的一側(cè)，所述高反射層4000設(shè)置有兩個(gè)開(kāi)口，其中一個(gè)所述開(kāi)口與所述結(jié)構(gòu)槽1100相匹配，另一個(gè)所述開(kāi)口與兩個(gè)所述電極2100相匹配，所述封裝層3000經(jīng)由所述開(kāi)口與所述基板1000相連接，且部分所述封裝層3000位于所述結(jié)構(gòu)槽1100內(nèi)。

需要說(shuō)明的是，基板1000上的兩個(gè)通孔1200通常為垂直貫穿基板1000的通孔1200，并且通常為背離發(fā)光器件2000側(cè)大，靠近發(fā)光器件2000側(cè)相對(duì)較小，這樣的設(shè)置可以在保證發(fā)光器件2000上設(shè)置的兩個(gè)電極2100能夠更加精準(zhǔn)的定位，也能在相對(duì)較大的通孔1200的幫助下便于將線穿入。發(fā)光器件2000可為釋放高能量的深紫外光，也可為普通的發(fā)光器件2000，雖然普通的發(fā)光器件2000在正常的封裝下可以正常使用，但是這種設(shè)置能夠增加其結(jié)合力。封裝層3000的選用需要具備在高能量下不易被破壞結(jié)構(gòu)以及透光性好的特性，經(jīng)過(guò)試驗(yàn)和選擇，氟樹(shù)脂材料或旋涂玻璃材料這兩種材料的內(nèi)部鍵能很高，并且具備高透光性，所以基本上能很好的運(yùn)用在該器件上。高反射層4000材料可以包括鋁、金、二氧化鈦、聚四氟乙烯等高反射材料，反射材料層厚度一般為20~100um，反射層的存在可以進(jìn)一步提高整個(gè)器件的光提取效率。

基于上述描述，在本實(shí)施例中，參考圖1，封裝層3000包裹住發(fā)光器件2000并且，由于基板1000具備結(jié)構(gòu)槽1100，所以封裝層3000不僅僅停留在基板1000表面，并且會(huì)進(jìn)入結(jié)構(gòu)槽1100，由于結(jié)構(gòu)槽1100的存在所以可以增大基板1000與封裝層3000的面積，這樣就可以在一定程度上起到增大封裝層3000與基板1000結(jié)合力的作用。并且在正常使用該器件時(shí)，發(fā)光器件2000會(huì)散發(fā)出能量，由于溫度的增加所以在結(jié)構(gòu)槽1100中的封裝層3000材料會(huì)有膨脹的趨勢(shì)，所以可以增加封裝層3000與結(jié)構(gòu)槽1100槽壁的結(jié)合力，所以進(jìn)一步增加封裝層3000與基板1000的結(jié)合力。

由于本器件使用的材料為氟樹(shù)脂材料或硅-玻璃鍵合結(jié)構(gòu)材料，而這兩種材料具備內(nèi)部鍵能高以及透光性好的特點(diǎn)，所以不會(huì)在深紫外器件應(yīng)用中出現(xiàn)由于高能量的紫外光子的影響，使材料化學(xué)鍵斷裂，從而造成材料劣化變性，可靠性與紫外透射率都降低的情形，當(dāng)然能量不高的其它光源就更加不能影響封裝層3000了，所以該器件能夠適用的范圍廣，基本可以適用在各種類型的發(fā)光器件2000上，進(jìn)一步地該材料還具備透光性好的特點(diǎn)所以該器件能夠?qū)ν馔赋龅墓庖卜浅６唷?/span>

基于上述實(shí)施例，進(jìn)一步地，參照?qǐng)D1-3，所述結(jié)構(gòu)槽1100包括沿所述器件本體2200的周向設(shè)置的第一凹槽1110，所述第一凹槽1110向背離所述封裝層3000的方向凹陷。封裝層3000最重要的作用為保護(hù)好發(fā)光器件2000并且與基板1000結(jié)合在一起。實(shí)踐中往往封裝層3000在發(fā)光器件2000的部分方向上脫落就會(huì)引起整個(gè)器件的性能大大下降，此處的第一凹槽1110沿所述器件本體2200的周向設(shè)置，可以使得發(fā)光器件2000在外部各個(gè)方向都有相近的結(jié)合力，這樣就不會(huì)引起封裝層3000在發(fā)光器件2000的部分方向上脫落的情況發(fā)生。為了使方案更加完整，本發(fā)明在此設(shè)定實(shí)踐中較優(yōu)的設(shè)計(jì)距離，所述第一凹槽1110距離發(fā)光器件2000中心的距離應(yīng)大于封裝層3000最外圈的一半，進(jìn)一步地，選擇第一凹槽1110距離發(fā)光器件2000中心的距離為封裝層3000半徑的5/7，使第一凹槽1110位于封裝層3000靠近邊緣處，在實(shí)踐中是封裝層3000與基板1000的結(jié)合力較優(yōu)處。需要注意的是，本專利未闡述的其它值也屬于本專利的保護(hù)范圍內(nèi)。

基于上述實(shí)施例，進(jìn)一步地，參照?qǐng)D1-13，所述第一凹槽1110包括貫通所述基板1000表面的第一區(qū)域1111和第二區(qū)域1112，所述第二區(qū)域1112與所述第一區(qū)域1111連通，所述第二區(qū)域1112用于防止所述封裝層3000從所述第一區(qū)域1111脫出。第二區(qū)域1112防止所述封裝層3000從所述第一區(qū)域1111脫出的方法包括但不限于，使第二區(qū)域1112在基板1000厚度方向的橫截面積大于第一區(qū)域1111在基板1000厚度方向的橫截面積，或者第二區(qū)域1112與第一區(qū)域1111在基板1000厚度方向上偏移設(shè)置等。

基于上述描述，當(dāng)液態(tài)的封裝層3000材料進(jìn)入第一區(qū)域1111后，由于第二區(qū)域1112與所述第一區(qū)域1111連通，所以也會(huì)順利填充滿第二區(qū)域1112，當(dāng)?shù)诙^(qū)域1112被封裝層3000材料填充滿后，該封裝層3000材料就不易與基板1000分離，從而增強(qiáng)封裝層3000與基板1000的結(jié)合力。

基于上述實(shí)施例，進(jìn)一步地，參照?qǐng)D7-13，所述第一區(qū)域1111與所述第二區(qū)域1112在所述基板1000的厚度方向的縱截面上組成倒T型、土字型、箭頭型或倒F型。雖然上述結(jié)構(gòu)形狀都能夠使得所述第二區(qū)域1112防止所述封裝層3000從所述第一區(qū)域1111脫出，但是各種情況的效果與成本不同，例如倒T型與土字型相比，倒T型所能提供的結(jié)合力沒(méi)有土字型高，但是倒T型的成本比土字型要低，箭頭型、倒F型或者其它形狀都是在效果與成本之間設(shè)置平衡點(diǎn)，如果想要將結(jié)合力增大一些就將第一區(qū)域1111與第二區(qū)域1112形狀設(shè)置的復(fù)雜一些，如果在裝置中不需要過(guò)于大的結(jié)合力那就設(shè)置的簡(jiǎn)單一些。

進(jìn)一步的，提供倒T型第一凹槽1110中的一些基本計(jì)算和設(shè)計(jì)，第一凹槽1110環(huán)繞發(fā)光器件2000，第一區(qū)域1111寬度d1大于20um，小于200um，小于20um孔道太細(xì)對(duì)于封裝層3000填充會(huì)造成整體困難，大于200um的情況下第一區(qū)域1111則就會(huì)太寬容易造成較多光線進(jìn)入凹槽無(wú)法出射，降低光提取效率。第一凹槽1110內(nèi)部深度d2大于1/10基板1000厚度，小于1/2基板1000厚度，小于1/10厚度太淺無(wú)法提供良好的粘結(jié)效果，大于1/2厚度太深影響基板1000的可靠性。第二區(qū)域1112底部寬度d3，1.5d1≤d3≤3d1，太小無(wú)法提供良好的粘結(jié)效果，太大則封裝層3000無(wú)法完成良好的內(nèi)部填充，也影響粘結(jié)效果。

基于上述實(shí)施例，如圖11和12所示，進(jìn)一步的，所述第一區(qū)域1111與所述基板1000表面成夾角設(shè)置，夾角θ的范圍為大于30°且小于60°。角度小于30°則角度太小，不利于氟樹(shù)脂的向內(nèi)填充，影響增強(qiáng)結(jié)合力效果，角度大于60°，則無(wú)法形成增強(qiáng)光提取效率的效果。此處設(shè)置一定傾斜角的目的是在垂直設(shè)置時(shí)，部分紫外光線會(huì)射入第一凹槽1110的部分無(wú)法射出，造成整體器件光提取效率的下降。向內(nèi)部?jī)A斜減少光線入射的概率，提高器件的光提取效率。

基于上述實(shí)施例，如圖13所示，進(jìn)一步的，僅在第一區(qū)域1111靠近發(fā)光器件2000側(cè)設(shè)置第二區(qū)域1112，當(dāng)發(fā)光器件2000發(fā)出光后沿第一區(qū)域1111進(jìn)入所述第二區(qū)域1112后，光線難以反射出去。由此可知僅在第一區(qū)域1111靠近發(fā)光器件2000側(cè)設(shè)置第二區(qū)域1112可以進(jìn)一步降低凹槽對(duì)光吸收的影響，從而提高器件光提取效率。

基于上述實(shí)施例，進(jìn)一步地，所述第一凹槽1110的數(shù)量為單個(gè)或多個(gè)，所述第一凹槽1110的數(shù)量為多個(gè)時(shí)，多個(gè)所述第一凹槽1110沿發(fā)光器件2000的周向布設(shè)；所述第一凹槽1110的數(shù)量為單個(gè)時(shí)，單個(gè)所述第一凹槽1110沿發(fā)光器件2000的周向開(kāi)設(shè)?；谏鲜雒枋?，第一凹槽1110的數(shù)量越多封裝層3000與基板1000的結(jié)合力也就越強(qiáng)，當(dāng)然相應(yīng)的成本和耗材也就越高，可以根據(jù)基板1000的狀態(tài)以及發(fā)光器件2000能量的高低等因素，選用最適合的方案。

基于上述實(shí)施例，如圖6所示，進(jìn)一步地，所述結(jié)構(gòu)槽1100還包括第二凹槽1120，且所述第二凹槽1120位于兩個(gè)所述通孔1200之間，所述第二凹槽1120用所述封裝層3000填充。第二凹槽1120寬度為1/3d5≤ d4 <d5，太小無(wú)法提供良好的結(jié)合力與良好的底部填充效果，太大容易造成填充器件的電性連接不良。底部填充的封裝層3000也可以使封裝層3000與發(fā)光器件2000更好接觸從而提高光提取效率。在兩個(gè)電極2100之間設(shè)置第二凹槽1120會(huì)使得封裝層3000有一部分包裹在發(fā)光器件2000和基板1000之間，在發(fā)光器件2000和外界連接的情況下，由于發(fā)光器件2000受到向基板1000方向的力，而封裝層3000有一部分包裹在發(fā)光器件2000和基板1000之間，所以封裝層3000非常難以脫落。第一凹槽1110和第二凹槽1120的設(shè)置不僅極大增強(qiáng)了封裝層3000和基板1000的結(jié)合力，而且增強(qiáng)芯片與底部的粘結(jié)性，使部分光射入芯片下方的的時(shí)候也可以傳導(dǎo)出來(lái)。

基于上述實(shí)施例，根據(jù)圖2和圖3所示，進(jìn)一步地，所述基板1000上設(shè)置有粗糙結(jié)構(gòu)1113，所述粗糙結(jié)構(gòu)1113位于第一凹槽1110內(nèi)部，所述粗糙結(jié)構(gòu)1113包括多個(gè)槽體，多個(gè)所述槽體用于增加所述封裝層3000與所述第一凹槽1110的接觸面積。槽體既可以規(guī)律的進(jìn)行排列也可以不規(guī)律的進(jìn)行排列，既可以設(shè)置一處也可以設(shè)置多處。封裝層3000與第一凹槽1110的接觸面積增大也就意味著封裝層3000與基板1000的結(jié)合力增大，進(jìn)一步增強(qiáng)結(jié)合力。

基于上述實(shí)施例，如圖7所示，進(jìn)一步的，所述高反射層4000上設(shè)置空置區(qū)4100，所述空置區(qū)4100為圓環(huán)型設(shè)置，所述空置區(qū)4100沿所述結(jié)構(gòu)槽1100周向設(shè)置于結(jié)構(gòu)槽1100之外，所述封裝層3000經(jīng)由所述空置區(qū)4100與所述基板1000表面固定。所述空置區(qū)4100可以為一個(gè)或者多個(gè)。所述空置區(qū)4100用以增強(qiáng)邊緣結(jié)合力，d7寬度大于100um，小于200um，太小不易形成增強(qiáng)結(jié)合力效果，太大則造成光提取效率的降低?？罩脜^(qū)4100外邊緣部分設(shè)置在封裝層3000邊緣處，用以限制封裝層3000在基板1000表面成型，使得封裝層3000可以在設(shè)計(jì)區(qū)域內(nèi)擁有光滑邊緣形成規(guī)則成型，控制規(guī)則成型也可進(jìn)一步提升器件整體的光提取效率。

以上所述僅為本發(fā)明的可選實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是在本發(fā)明的發(fā)明構(gòu)思下，利用本發(fā)明說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域均包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。

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