本發(fā)明提供一種禁帶寬度可調的鈣鈦礦單晶快速生長方法，通過調控原料鹵素的比例調控鈣鈦礦材料的禁帶寬度。通過合成得到鹵素混合的鈣鈦礦粉末并溶解到有機溶劑中，通過添加聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙烯醇或聚丙烯酸，低溫加熱生長出禁帶寬度可調的鹵素混合鈣鈦礦單晶。合成的碘/溴和溴/氯任意比例混合的鉛基甲胺鈣鈦礦單晶大尺寸、形狀規(guī)則、結晶性好。本發(fā)明可以任意調控鉛基甲胺鹵素鈣鈦礦單價，從1.51?2.94eV禁帶寬度任意調控。實驗裝置簡單成本低，工藝簡單可靠，所得單晶結晶性好。拓寬了鈣鈦礦單晶材料的種類。為在光電探測器和發(fā)光器件領域，尋找更優(yōu)異性能的鈣鈦礦材料提供了新的材料基礎。