本發(fā)明涉及一種垂直型光電探測器的制備方法，包括：S1：選取襯底；S2：在所述襯底上生長底電極層；S3：在所述底電極層上生長二硫化鉬層；S4：在所述二硫化鉬層上生長雜化鈣鈦礦層；S5：在所述雜化鈣鈦礦層上生長頂電極。本發(fā)明可以使光電探測器二維材料溝道的背景載流子的完全耗盡，顯著降低了器件暗電流，提高器件在弱光下的探測性能；制備工藝簡單，生產(chǎn)成本低，無需昂貴的儀器設備等優(yōu)點；制備的光電探測器可在零柵壓、低源漏偏壓下工作，具有優(yōu)異的低功耗特性，且結構簡單、效率高、響應快、工作穩(wěn)定、使用壽命長。