一種高可靠性片式ntc熱敏電阻材料及其制備方法及用途
技術(shù)領(lǐng)域
1.本發(fā)明涉及電子器件技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種高可靠性片式ntc熱敏電阻材料及其制備方法及用途。
背景技術(shù):
2.ntc熱敏材料是具有負(fù)溫度系數(shù)是具有負(fù)溫度系數(shù)的熱敏材料,一般阻值隨溫度上升呈指數(shù)關(guān)系減少。常見熱敏陶瓷材料是由mn、fe、co、ni等多種過渡族金屬氧化物摻雜部分
稀土金屬氧化物為原料,經(jīng)過傳統(tǒng)半導(dǎo)體陶瓷工藝而制成。選擇不同體系材料、調(diào)節(jié)配方例子比例及制備工藝(燒結(jié)氣氛、預(yù)燒溫度、燒結(jié)溫度、保溫時(shí)間等)可以得到不同的電阻率與b值的ntc熱敏材料,從而得到滿足不同需求的熱敏電阻器件。隨著實(shí)際應(yīng)用對(duì)熱敏材料與器件要求越來越高,我國目前ntc行業(yè)研究的熱點(diǎn)主要為陶瓷電學(xué)性能的可控性、材料老化性能的優(yōu)化過程、ntc熱敏陶瓷多層片式化生產(chǎn)工藝等。常溫ntc熱敏陶瓷材料主要分為含錳系和非含錳系。由于含錳系的熱敏材料化學(xué)性一般都很穩(wěn)定,制備得到ntc熱敏陶瓷可在空氣中直接使用,因此目前實(shí)際生產(chǎn)的常溫ntc熱敏電阻主要是含錳系熱敏陶瓷??梢杂脕砩a(chǎn)錳系熱敏陶瓷的原材料有氧化錳、二氧化錳和
四氧化三錳等,但是mno、mno2在預(yù)燒過程和燒結(jié)過程不但會(huì)發(fā)生價(jià)態(tài)變化,而且由于不是尖晶石結(jié)構(gòu),還會(huì)發(fā)生晶體結(jié)構(gòu)的變化,因此氧化錳、二氧化錳作為錳源得到的ntc熱敏電阻一致性較差。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
3.本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)存在的不足之處而提供一種高可靠性片式ntc熱敏電阻材料及其制備方法及用途。
4.為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采取的技術(shù)方案為:
5.一種高可靠性片式ntc熱敏電阻材料,以mn3o4、co3o4、ni2o3作為主配方材料,以zno、la2o3作為摻雜材料;通過將主配方材料和摻雜材料經(jīng)球磨、烘干、預(yù)燒、再球磨砂磨制成。
6.本發(fā)明技術(shù)方案的設(shè)計(jì)原理為:由于mn3o4本身是尖晶石結(jié)構(gòu),而且具有+2和+3的價(jià)態(tài),因此用mn3o4代替mno2或mno作為錳源,再摻雜其他元素,能夠比較容易合成具有尖晶石結(jié)構(gòu)的瓷粉,大大的提高了瓷粉的一致性。由于鋅離子是一種不變價(jià)的離子,具有較高的穩(wěn)定性,鋅的存在一方面提高了陶瓷的抗氧化能力,另一方面可以限制其他陽離子在尖晶石不同位置的相互移動(dòng),因此在配方中添加氧化鋅作為摻雜元素能夠大大提高電阻阻值穩(wěn)定性。氧化鑭具有非常高的的焓值,并且可以尖晶石相很好融合,形成良好固溶體,利于提高熱敏材料的穩(wěn)定性。
7.進(jìn)一步地,所述高可靠性片式ntc熱敏電阻材料包含以下重量百分含量的組分:40~60%的mn3o4、20~40%的co3o4、5~15%的ni2o3、2~8%的zno、0.5~1.5%的la2o3。
8.進(jìn)一步地,所述高可靠性片式ntc熱敏電阻材料包含以下重量百分含量的組分:45~55%的mn3o4、25~35%的co3o4、10~15%的ni2o3、2~8%的zno、0.5~1.5%的la2o3。
9.第二方面,本發(fā)明還提供上述高可靠性片式ntc熱敏電阻材料的制備方法,包括以下步驟:
10.(1)按配方量稱取mn3o4、co3o4、ni2o3、zno、la2o3,然后加入球磨機(jī)中,向球磨機(jī)中加入水,進(jìn)行球磨;
11.(2)待球磨機(jī)冷卻后,將球磨后的漿料轉(zhuǎn)移到托盤放置于烘箱烘干,將烘干料破碎后放置到馬弗爐進(jìn)行預(yù)燒;
12.(3)將預(yù)燒后的預(yù)燒粉先球磨后砂磨,得到比表面積為10
±
2m2/g的瓷粉,即高可靠性片式ntc熱敏電阻材料。
13.進(jìn)一步地,所述步驟(1)中,混合粉末與所加入的水的質(zhì)量比為1:1.5~1.8;球磨轉(zhuǎn)速為30~50rpm/min,球磨時(shí)間為20~30h。
14.進(jìn)一步地,所述步驟(2)中,烘干溫度為250
±
10℃,預(yù)燒溫度為900
±
50℃,預(yù)燒時(shí)間為2h。發(fā)明人通過研究發(fā)現(xiàn),為改善高阻瓷粉預(yù)合成工藝的一致性,增加成品粉的活性和改善粒度大小的分布,設(shè)計(jì)最佳預(yù)燒溫度范圍:900
±
10℃。
15.進(jìn)一步地,所述步驟(3)中,球磨轉(zhuǎn)速為30轉(zhuǎn)/min,球磨時(shí)間為4小時(shí);砂磨轉(zhuǎn)速為1200轉(zhuǎn)/min,砂磨時(shí)間為8小時(shí)。發(fā)明人通過研究發(fā)現(xiàn),通過分級(jí)磨工藝,改善粉料均勻性,最終確定材料的比表面積標(biāo)準(zhǔn)范圍:10
±
2m2/g。
16.第三方面,本發(fā)明還提供上述高可靠性片式ntc熱敏電阻材料在電子元器件中的用途。
17.進(jìn)一步地,是將所述高可靠性片式ntc熱敏電阻材料與溶劑混合配成漿料,通過流延、等靜壓、切割、燒結(jié),得到高可靠性片式ntc熱敏電阻。流延成型是指刮刀成型,其主要優(yōu)點(diǎn)是制備大面積、薄、平的陶瓷的好方法。這些采用其他方法是很難做到的。比如在干壓成型過程中,由于不均勻的模具填充使得產(chǎn)生大量穿透的孔洞。因此,本發(fā)明采用流延成型工藝制備ntc熱敏電阻。
18.進(jìn)一步地,在燒結(jié)制備高可靠性片式ntc熱敏電阻時(shí),燒結(jié)溫度為1200
±
50℃,保溫8~10h。發(fā)明人通過研究發(fā)現(xiàn),燒結(jié)時(shí)間對(duì)ntc熱敏陶瓷顯微結(jié)構(gòu)的影響,如果燒結(jié)時(shí)間多短,則制得的瓷體仍然有比較多的氣孔,而在1200
±
10℃保溫10h的瓷體基本上沒有氣孔,一致性較好。
19.與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果為:本發(fā)明采用四氧化三錳代替二氧化錳,與之前的配方相比,電阻阻值一致性更好,穩(wěn)定性更高。這是由于四氧化三錳本身就是尖晶石結(jié)構(gòu),而且具有+2和+3的價(jià)態(tài),因此用四氧化錳代替二氧化錳或氧化錳作為錳源,再摻雜其他元素,能夠比較容易合成具有尖晶石結(jié)構(gòu)的瓷粉,大大提高瓷粉的一致性。通過添加微量的氧化鋅和氧化鑭,進(jìn)一步提高材料的穩(wěn)定性,改善產(chǎn)品老化性能。這是由于鋅離子是一種不變價(jià)的離子,具有較高的穩(wěn)定性,鋅的存在一方面提高了陶瓷的抗氧化能力,另一方面可以限制其他陽離子在尖晶石不同位置的相互移動(dòng),因此在配方中添加氧化鋅作為摻雜元素能夠大大提高電阻阻值穩(wěn)定性。氧化鑭具有非常高的的焓值,并且可以尖晶石相很好融合,形成良好固溶體,利于提高熱敏材料的穩(wěn)定性。
附圖說明
20.圖1為本發(fā)明實(shí)施例1制得的片式ntc熱敏電阻產(chǎn)品圖;
21.圖2為本發(fā)明實(shí)施例1在1190℃下不同保溫時(shí)間對(duì)ntc熱敏陶瓷纖維結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施方式
22.為更好的說明本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn),下面將結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
23.實(shí)施例1
24.本發(fā)明所述高可靠性片式ntc熱敏電阻材料的一種實(shí)施例,本實(shí)施例所述材料,按重量百分比計(jì),包括以下組分:42.4%的mn3o4,39.7%的co3o4,9.6%的ni2o3,7.8%的zno,0.5%的la2o3。
25.其制備方法如下:
26.(1)按照配方配比稱取mn3o4、co3o4、ni2o3、zno、la2o3進(jìn)行配料混合,將稱量好的混合粉末、水按照1:1.5的重量比放入球磨罐中,以30轉(zhuǎn)/分鐘的速率球磨24h;
27.(2)待球磨機(jī)冷卻后,將球磨后的漿料轉(zhuǎn)移到托盤并放置于250℃烘箱進(jìn)行烘干;
28.(3)將烘干料破碎后放置到馬弗爐進(jìn)行預(yù)燒,將烘干料破碎后放置到馬弗爐進(jìn)行預(yù)燒,為改善高阻瓷粉預(yù)合成工藝的一致性,增加成品粉的活性和改善粒度大小的分布,設(shè)計(jì)最佳預(yù)燒溫度范圍:900
±
10℃;
29.(4)二次配料將球磨工藝改為先滾動(dòng)球磨再砂磨,通過分級(jí)磨工藝,改善粉料均勻性,最終確定材料的比表面積標(biāo)準(zhǔn)范圍:10
±
2m2/g;
30.片式ntc熱敏電阻的制備:將上述的高可靠性片式ntc熱敏電阻材料與流延劑載體混合配成漿料,然后通過流延工藝、等靜壓工藝、高精度切割工藝、燒結(jié)工藝等技術(shù)得到片式ntc熱敏電阻。研究燒結(jié)時(shí)間對(duì)ntc熱敏陶瓷顯微結(jié)構(gòu)的影響,如附圖2所示。由圖可以看到,1190℃保溫5h的瓷體仍然有比較多的氣孔,而1190℃保溫10h的瓷體基本上沒有氣孔,一致性較好。
31.片式ntc熱敏電阻的性能測試:阻值10.04kω,b值3500,滿足0805-10kω產(chǎn)品的性能要求,并且電阻值在25℃恒溫油槽測試,滿足10
±
5%的命中率由原來的70%提高到90%,150℃老化1000h,阻值變化率<1%。
32.實(shí)施例2
33.本發(fā)明所述高可靠性片式ntc熱敏電阻材料的一種實(shí)施例,本實(shí)施例所述材料,按重量百分比計(jì),包括以下組分:45.3%的mn3o4,37.7%的co3o4,8.7%的ni2o3,7.5%的zno,0.8%的la2o3。
34.其制備方法如下:
35.(1)按照配方配比稱取mn3o4、co3o4、ni2o3、zno、la2o3進(jìn)行配料混合,將稱量好的混合粉末、水按照1:1.5的重量比放入球磨罐中,以30轉(zhuǎn)/分鐘的速率球磨24h;
36.(2)待球磨機(jī)冷卻后,將球磨后的漿料轉(zhuǎn)移到托盤并放置于250℃烘箱進(jìn)行烘干;
37.(3)將烘干料破碎后放置到馬弗爐進(jìn)行預(yù)燒,將烘干料破碎后放置到馬弗爐進(jìn)行預(yù)燒,為改善高阻瓷粉預(yù)合成工藝的一致性,增加成品粉的活性和改善粒度大小的分布,設(shè)計(jì)最佳預(yù)燒溫度范圍:900
±
10℃;
38.(4)二次配料將球磨工藝改為先滾動(dòng)球磨再砂磨,通過分級(jí)磨工藝,改善粉料均勻性,最終確定材料的比表面積標(biāo)準(zhǔn)范圍:10
±
2m2/g;
39.片式ntc熱敏電阻的制備:將上述的高可靠性片式ntc熱敏電阻材料與流延劑載體混合配成漿料,然后通過流延工藝、等靜壓工藝、高精度切割工藝、燒結(jié)工藝等技術(shù)得到片式ntc熱敏電阻。研究燒結(jié)時(shí)間對(duì)ntc熱敏陶瓷顯微結(jié)構(gòu)的影響,如附圖2所示。由圖可以看到,1190℃保溫5h的瓷體仍然有比較多的氣孔,而1190℃保溫10h的瓷體基本上沒有氣孔,一致性較好。
40.片式ntc熱敏電阻的性能測試:阻值10.04kω,b值3500,滿足0805-10kω產(chǎn)品的性能要求,并且電阻值在25℃恒溫油槽測試,滿足10
±
5%的命中率由原來的70%提高到90%,150℃老化1000h,阻值變化率<1%。老化1000h
41.實(shí)施例3
42.本發(fā)明所述高可靠性片式ntc熱敏電阻材料的一種實(shí)施例,本實(shí)施例所述材料,按重量百分比計(jì),包括以下組分:50.5%的mn3o4,35.2%的co3o4,8.2%的ni2o3,5.1%的zno,1.0%的la2o3。
43.其制備方法如下:
44.(1)按照配方配比稱取mn3o4、co3o4、ni2o3、zno、la2o3進(jìn)行配料混合,將稱量好的混合粉末、水按照1:1.5的重量比放入球磨罐中,以30轉(zhuǎn)/分鐘的速率球磨24h;
45.(2)待球磨機(jī)冷卻后,將球磨后的漿料轉(zhuǎn)移到托盤并放置于250℃烘箱進(jìn)行烘干;
46.(3)將烘干料破碎后放置到馬弗爐進(jìn)行預(yù)燒,將烘干料破碎后放置到馬弗爐進(jìn)行預(yù)燒,為改善高阻瓷粉預(yù)合成工藝的一致性,增加成品粉的活性和改善粒度大小的分布,設(shè)計(jì)最佳預(yù)燒溫度范圍:900
±
10℃;
47.(4)二次配料將球磨工藝改為先滾動(dòng)球磨再砂磨,通過分級(jí)磨工藝,改善粉料均勻性,最終確定材料的比表面積標(biāo)準(zhǔn)范圍:10
±
2m2/g;
48.片式ntc熱敏電阻的制備:將上述的高可靠性片式ntc熱敏電阻材料與流延劑載體混合配成漿料,然后通過流延工藝、等靜壓工藝、高精度切割工藝、燒結(jié)工藝等技術(shù)得到片式ntc熱敏電阻。研究燒結(jié)時(shí)間對(duì)ntc熱敏陶瓷顯微結(jié)構(gòu)的影響,如附圖2所示。由圖可以看到,1190℃保溫5h的瓷體仍然有比較多的氣孔,而1190℃保溫10h的瓷體基本上沒有氣孔,一致性較好。
49.片式ntc熱敏電阻的性能測試:阻值10.0kω,b值3500,滿足0805-10kω產(chǎn)品的性能要求,并且電阻值在25℃恒溫油槽測試,滿足10
±
5%的命中率由原來的70%提高到90%,150℃老化1000h,阻值變化率小于1%。老化1000h
50.實(shí)施例4
51.本發(fā)明所述高可靠性片式ntc熱敏電阻材料的一種實(shí)施例,本實(shí)施例所述材料,按重量百分比計(jì),包括以下組分:55.8%的mn3o4,28.6%的co3o4,11.8%的ni2o3,2.3%的zno,1.5%的la2o3。
52.其制備方法如下:
53.(1)按照配方配比稱取mn3o4、co3o4、ni2o3、zno、la2o3進(jìn)行配料混合,將稱量好的混合粉末、水按照1:1.5的重量比放入球磨罐中,以30轉(zhuǎn)/分鐘的速率球磨24h;
54.(2)待球磨機(jī)冷卻后,將球磨后的漿料轉(zhuǎn)移到托盤并放置于250℃烘箱進(jìn)行烘干;
55.(3)將烘干料破碎后放置到馬弗爐進(jìn)行預(yù)燒,將烘干料破碎后放置到馬弗爐進(jìn)行預(yù)燒,為改善高阻瓷粉預(yù)合成工藝的一致性,增加成品粉的活性和改善粒度大小的分布,設(shè)
計(jì)最佳預(yù)燒溫度范圍:900
±
10℃;
56.(4)二次配料將球磨工藝改為先滾動(dòng)球磨再砂磨,通過分級(jí)磨工藝,改善粉料均勻性,最終確定材料的比表面積標(biāo)準(zhǔn)范圍:10
±
2m2/g;
57.片式ntc熱敏電阻的制備:將上述的高可靠性片式ntc熱敏電阻材料與流延劑載體混合配成漿料,然后通過流延工藝、等靜壓工藝、高精度切割工藝、燒結(jié)工藝等技術(shù)得到片式ntc熱敏電阻。研究燒結(jié)時(shí)間對(duì)ntc熱敏陶瓷顯微結(jié)構(gòu)的影響,如附圖2所示。由圖可以看到,1190℃保溫5h的瓷體仍然有比較多的氣孔,而1190℃保溫10h的瓷體基本上沒有氣孔,一致性較好。
58.片式ntc熱敏電阻的性能測試:阻值10.0kω,b值3500,滿足0805-10kω產(chǎn)品的性能要求,并且電阻值在25℃恒溫油槽測試,滿足10
±
5%的命中率由原來的70%提高到90%,150℃老化1000h,阻值變化率小于1%。老化1000h
59.實(shí)施例5
60.本發(fā)明所述高可靠性片式ntc熱敏電阻材料的一種實(shí)施例,本實(shí)施例所述材料,按重量百分比計(jì),包括以下組分:59.6%的mn3o4,25.1%的co3o4,11.5%的ni2o3,2.3%的zno,1.5%的la2o3。
61.其制備方法如下:
62.(1)按照配方配比稱取mn3o4、co3o4、ni2o3、zno、la2o3進(jìn)行配料混合,將稱量好的混合粉末、水按照1:1.5的重量比放入球磨罐中,以30轉(zhuǎn)/分鐘的速率球磨24h;
63.(2)待球磨機(jī)冷卻后,將球磨后的漿料轉(zhuǎn)移到托盤并放置于250℃烘箱進(jìn)行烘干;
64.(3)將烘干料破碎后放置到馬弗爐進(jìn)行預(yù)燒,將烘干料破碎后放置到馬弗爐進(jìn)行預(yù)燒,為改善高阻瓷粉預(yù)合成工藝的一致性,增加成品粉的活性和改善粒度大小的分布,設(shè)計(jì)最佳預(yù)燒溫度范圍:900
±
10℃;
65.(4)二次配料將球磨工藝改為先滾動(dòng)球磨再砂磨,通過分級(jí)磨工藝,改善粉料均勻性,最終確定材料的比表面積標(biāo)準(zhǔn)范圍:10
±
2m2/g;
66.片式ntc熱敏電阻的制備:將上述的高可靠性片式ntc熱敏電阻材料與流延劑載體混合配成漿料,然后通過流延工藝、等靜壓工藝、高精度切割工藝、燒結(jié)工藝等技術(shù)得到片式ntc熱敏電阻。研究燒結(jié)時(shí)間對(duì)ntc熱敏陶瓷顯微結(jié)構(gòu)的影響,如附圖2所示。由圖可以看到,1190℃保溫5h的瓷體仍然有比較多的氣孔,而1190℃保溫10h的瓷體基本上沒有氣孔,一致性較好。
67.片式ntc熱敏電阻的性能測試:阻值10.0kω,b值3500,滿足0805-10kω產(chǎn)品的性能要求,并且電阻值在25℃恒溫油槽測試,滿足10
±
5%的命中率由原來的70%提高到90%,150℃老化1000h,阻值變化率小于1%。老化1000h
68.對(duì)比例1
69.本對(duì)比例提供了一種ntc熱敏材料,該ntc熱敏材料包括以下質(zhì)量百分含量的組分:mno
2 45.4%、co3o
4 36.2%、ni2o
3 18.4%、
70.將本對(duì)比例ntc熱敏材料用于制備片式ntc熱敏電阻器,方法步驟以及工藝參數(shù)均同實(shí)施例1-5。測試所得片式ntc熱敏電阻器的相關(guān)性能,結(jié)果見表1。
71.表1實(shí)施例1-5及對(duì)比例1片式ntc熱敏電阻器性能測試結(jié)果
72.[0073][0074]
由表1可知,對(duì)比例1所得片式ntc熱敏電阻產(chǎn)品一致較差,命中率只有70%,150℃老化性能較差,變化率大,而實(shí)施例1-5所得片式ntc熱敏電阻阻值一致好,命中率均勻達(dá)90%以,150℃老化性能較差方面均優(yōu)于對(duì)比例的樣品。
[0075]
最后所應(yīng)當(dāng)說明的是,以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非對(duì)本發(fā)明保護(hù)范圍的限制,盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作了詳細(xì)說明,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解,可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換,而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的實(shí)質(zhì)和范圍。技術(shù)特征:
1.一種高可靠性片式ntc熱敏電阻材料,其特征在于,以mn3o4、co3o4、ni2o3作為主配方材料,以zno、la2o3作為摻雜材料;通過將主配方材料和摻雜材料經(jīng)球磨、烘干、預(yù)燒、再球磨砂磨制成。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高可靠性片式ntc熱敏電阻材料,其特征在于,包含以下重量百分含量的組分:40~60%的mn3o4、20~40%的co3o4、5~15%的ni2o3、2~8%的zno、0.5~1.5%的la2o3。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高可靠性片式ntc熱敏電阻材料,其特征在于,包含以下重量百分含量的組分:45~55%的mn3o4、25~35%的co3o4、10~15%的ni2o3、2~8%的zno、0.5~1.5%的la2o3。4.一種如權(quán)利要求1或2所述的高可靠性片式ntc熱敏電阻材料的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:(1)按配方量稱取mn3o4、co3o4、ni2o3、zno、la2o3混合,向混合粉末中加入水,進(jìn)行球磨;(2)將球磨后的漿料烘干,將烘干料破碎后進(jìn)行預(yù)燒;(3)將預(yù)燒后的預(yù)燒粉先球磨后砂磨,得到比表面積為10
±
2m2/g的瓷粉,即高可靠性片式ntc熱敏電阻材料。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高可靠性片式ntc熱敏電阻材料的制備方法,其特征在于,所述步驟(1)中,混合粉末與所加入的水的質(zhì)量比為1:1.5~1.8;球磨轉(zhuǎn)速為30~50rpm/min,球磨時(shí)間為20~30h。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高可靠性片式ntc熱敏電阻材料的制備方法,其特征在于,所述步驟(2)中,烘干溫度為250
±
10℃,預(yù)燒溫度為900
±
50℃,預(yù)燒時(shí)間為2h。7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高可靠性片式ntc熱敏電阻材料的制備方法,其特征在于,所述步驟(3)中,球磨轉(zhuǎn)速為30轉(zhuǎn)/min,球磨時(shí)間為4小時(shí);砂磨轉(zhuǎn)速為1200轉(zhuǎn)/min,砂磨時(shí)間為8小時(shí)。8.一種如權(quán)利要求1~3任一項(xiàng)所述的高可靠性片式ntc熱敏電阻材料在電子元器件中的用途。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的高可靠性片式ntc熱敏電阻材料在電子元器件中的用途,其特征在于,將所述高可靠性片式ntc熱敏電阻材料與溶劑混合配成漿料,通過流延、等靜壓、切割、燒結(jié),得到高可靠性片式ntc熱敏電阻。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的高可靠性片式ntc熱敏電阻材料在電子元器件中的用途,其特征在于,燒結(jié)溫度1200
±
50℃,保溫8~10h。
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種高可靠性片式NTC熱敏電阻材料及其制備方法及用途。該熱敏電阻材料以Mn3O4、Co3O4、Ni2O3作為主配方材料,以ZnO、La2O3作為摻雜材料;通過將主配方材料和摻雜材料經(jīng)球磨、烘干、預(yù)燒、再球磨砂磨制成。所述片式NTC熱敏電阻材料包含以下重量百分含量的組分:40~60%的Mn3O4、20~40%的Co3O4、5~15%的Ni2O3、2~8%的ZnO、0.5~1.5%的La2O3。本發(fā)明采用四氧化三錳代替二氧化錳,與之前的配方相比,電阻阻值一致性更好,穩(wěn)定性更高。本發(fā)明通過添加微量的氧化鋅和氧化鑭,進(jìn)一步提高材料的穩(wěn)定性,改善產(chǎn)品老化性能。改善產(chǎn)品老化性能。改善產(chǎn)品老化性能。
技術(shù)研發(fā)人員:陳志華 李強(qiáng) 宋毅華 岑權(quán)進(jìn) 胡建兵 熊燦光 向湘紅
受保護(hù)的技術(shù)使用者:廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日:2022.02.10
技術(shù)公布日:2022/4/26
聲明:
“高可靠性片式NTC熱敏電阻材料及其制備方法及用途與流程” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)