本實(shí)用新型涉及太陽能電池制造的技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種管式PECVD特氣爐。 背景技術(shù)： 常規(guī)的化石燃料日益消耗殆盡，在現(xiàn)有的可持續(xù)能源中，太陽能是一種最清潔、最普遍和最有潛力的替代能源。太陽能發(fā)電裝置又稱為太陽能電池或光伏電池，可以將太陽能直接轉(zhuǎn)換成電能，其發(fā)電原理是基于半導(dǎo)體PN結(jié)的光生伏特效應(yīng)。 電池片在生產(chǎn)過程中，需要在硅片的表面鍍上一層減反射膜。目前，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)，使氣體在硅電池片表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并形成覆蓋層，即減反射膜。此減反射膜的主要作用是：降低反射率、良好的體鈍化和表面鈍化，以及利用氮化硅薄膜的強(qiáng)致密性和耐多數(shù)酸堿性，在硅片表面形成保護(hù)層。電池片的PECVD工序一般通過PECVD機(jī)完成，PECVD機(jī)在石英管的兩端通微波源，表面抽真空的條件下將氨氣和硅烷分解成高能離子狀態(tài)，經(jīng)過一系列化學(xué)反應(yīng)轉(zhuǎn)變成氮化硅氣體，在硅片表面沉積氮化硅固態(tài)薄膜，同時(shí)分解出來的氫離子，將硅片表面原有缺陷鈍化。 目前沉積氮化硅固態(tài)薄膜的設(shè)備主要有兩種，板式PECVD設(shè)備和管式PECVD特氣爐。如圖1所示，管式PECVD特氣爐的石英爐管1′內(nèi)設(shè)置有石墨舟，石墨舟包括用于承載硅片的若干石墨舟片2′，硅片處于封閉的石英爐管1′中，與板式PECVD設(shè)備鍍膜相比，硅片不需要流動(dòng)前進(jìn)鍍膜，可以在表面有更好的鈍化作用，電池效率更高，同時(shí)，管式PECVD特氣爐主要對(duì)石墨舟進(jìn)行維護(hù)，維護(hù)簡單，對(duì)生產(chǎn)的影響更小。但是，如圖1所示，現(xiàn)有的管式PECVD特氣爐只在管尾4′設(shè)有進(jìn)氣口42′，氮化硅氣體從進(jìn)氣口42′進(jìn)入后，需要一定時(shí)間才能在石英爐管1′內(nèi)充分?jǐn)U散均勻，而實(shí)際工藝過程中，還要求氣體濃度隨時(shí)間變化以便生產(chǎn)出不同折射率的減反射膜層。為了控制總工藝時(shí)間，確保量產(chǎn)的需要，實(shí)際生成過程中并不能等硅烷和氨氣在石英爐管1′內(nèi)充分?jǐn)U散均勻后再開始沉積，導(dǎo)致石英爐管1′內(nèi)均勻性不高。此外，石英爐管1′內(nèi)的氣壓是通過爐尾4′的排氣口41′的開度控制的，排氣口41′離進(jìn)氣口42′非常近，排氣也會(huì)影響氣體在管內(nèi)的均勻性。硅烷和氨氣的不均勻分布導(dǎo)致管式PECVD特氣爐的成膜均勻性較差，從而導(dǎo)致管式PECVD特氣爐處理的硅片有較高的返工率。 技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素： 本實(shí)用新型的目的在于提出一種噴氣均勻