一種電鍍晶片的方法基于電壓變化來(lái)檢測(cè)電鍍?cè)∈?。所述方法?duì)電鍍具有TSV特征結(jié)構(gòu)的晶片有用??杀O(jiān)測(cè)電鍍處理器的每個(gè)陽(yáng)極的電壓。電壓急劇下降表示由諸如SPS的加速劑轉(zhuǎn)換成其副產(chǎn)物MPS所導(dǎo)致的浴失效。通過(guò)電流脈沖輸送或電流遞增輸送延遲或避免浴失效。一種改良的電鍍?cè)【哂袠O低酸濃度的陰極電解質(zhì)。
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“用于半導(dǎo)體晶片的電化學(xué)沉積工藝” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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