本發(fā)明提供了一種層次化多重冗余的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器，包括控制電路、錯(cuò)誤檢測(cè)和校正電路、存儲(chǔ)模塊、行列地址映射表、塊地址映射表；存儲(chǔ)模塊由K+K’個(gè)數(shù)據(jù)塊組成，其中K個(gè)數(shù)據(jù)塊是普通塊，另外K’個(gè)數(shù)據(jù)塊是冗余塊；每個(gè)數(shù)據(jù)塊有M+M’行、N+N’列，其中M個(gè)行是普通行，另外M’個(gè)行是冗余行，其中N個(gè)列是普通列，另外N’個(gè)列是冗余行。本發(fā)明通過(guò)在不同層次上的冗余，避免了對(duì)每一塊/行/列都配置專(zhuān)門(mén)的失效地址映射表，使用錯(cuò)誤檢測(cè)和校正電路進(jìn)行實(shí)時(shí)的錯(cuò)誤檢測(cè)和失效地址映射表更新。從而以較低的成本，使MRAM芯片在部分存儲(chǔ)單元失效的情況下仍然能正常工作。