本發(fā)明屬于內(nèi)存測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種內(nèi)存顆粒多維測(cè)試方法、裝置、系統(tǒng)和可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，包括：在測(cè)試板兩面的內(nèi)存顆粒插槽中同時(shí)裝載多個(gè)待測(cè)試內(nèi)存顆粒，以使所述多個(gè)待測(cè)試內(nèi)存顆粒以多Rank顆粒組合形式運(yùn)行；將所述多Rank顆粒的測(cè)試環(huán)境設(shè)置為重負(fù)載模式下的測(cè)試環(huán)境；基于算法對(duì)所述多Rank顆粒進(jìn)行ATE和/或SLT測(cè)試，并獲取錯(cuò)誤顆粒單元的物理地址。本發(fā)明能夠?qū)ⅰ坝胸?fù)載才失效"、"內(nèi)存顆?；ハ喔蓴_"等由于多Rank顆粒組合形式引起的問(wèn)題在產(chǎn)品SMT(Surface Mount i ng Techno l ogy，表面組裝技術(shù))前篩選出來(lái)，提高了內(nèi)存顆粒電性能負(fù)載壓力測(cè)試的能力，進(jìn)而提高了內(nèi)存顆粒測(cè)試的效能。