本發(fā)明提出一種電遷移失效的剩余壽命預(yù)測方法，包括步驟：建立MOS器件的電遷移壽命模型；根據(jù)預(yù)設(shè)的正常工作條件下的電流密度和第一環(huán)境溫度，以及電遷移壽命模型，獲取正常電遷移失效的壽命T1；根據(jù)目標(biāo)預(yù)兆點(diǎn)T2和第二環(huán)境溫度，以及電遷移壽命模型，獲取電流密度應(yīng)力；將電流密度應(yīng)力輸入基于預(yù)兆單元的MOS器件電遷移失效預(yù)警電路；若基于預(yù)兆單元的MOS器件電遷移失效預(yù)警電路經(jīng)過時(shí)間T3后輸出高電平，則根據(jù)T1、T2以及T3，獲取對應(yīng)T2的電遷移失效的剩余壽命。本發(fā)明還提出一種電遷移失效的剩余壽命預(yù)測裝置，可以提高預(yù)測MOS器件電遷移失效剩余壽命的可靠性，提高預(yù)測效率，降低成本。