本發(fā)明公開(kāi)了一種封裝芯片失效分析樣品的制備方法，其包括如下步驟：步驟一，提供待分析封裝芯片；步驟二，采用丙酮浸泡待分析封裝芯片，拆除散熱蓋并擦除晶粒表面的散熱膠；步驟三，將多塊第一硅片粘接在基板臨近晶粒的位置；步驟四，在晶粒頂面粘接固定蓋玻片；步驟五，進(jìn)行混合膠冷埋鑲嵌，使得待分析封裝芯片固化在透明環(huán)氧樹(shù)脂內(nèi)部；步驟六，研磨基板底面，使得基板減薄以接近晶粒，并將第二硅片粘接在基板底面；步驟七，沿晶粒側(cè)面研磨第一硅片至待觀(guān)察的芯片位置，得到封裝芯片失效分析樣品。其能夠避免截面研磨過(guò)程中因外部應(yīng)力的引入導(dǎo)致的芯片結(jié)構(gòu)破壞，提高制樣成功率并保持晶粒的原有狀態(tài)，保障了后續(xù)截面形貌觀(guān)察的效果。