一種針對包含多個(gè)晶粒的半導(dǎo)體晶片或封裝品的缺陷檢測方法,這種方法包括對半導(dǎo)體晶片或封裝品進(jìn)行電性失效分析;確認(rèn)該多個(gè)晶粒的至少一個(gè)晶粒中的缺陷;在該至少一個(gè)缺陷晶粒中確認(rèn)要進(jìn)行分析的目標(biāo)層;以聚焦離子束設(shè)備移除已確認(rèn)的缺陷晶粒的至少一上方層;以及曝露出將供物性缺陷分析的整個(gè)目標(biāo)層。
聲明:
“使用聚焦離子束于供物性失效分析的多層半導(dǎo)體中曝露所欲層的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)