本申請適用于無損檢測技術領域,提供了一種同面陣列電容傳感器成像方法,上述同面陣列電容傳感器成像方法包括:建立電容傳感器和待測物體的三維模型,在三維模型中確定求解區(qū)域,并將求解區(qū)域劃分成有限個求解單元;分別對電容傳感器上的每組電極施加循環(huán)的點電壓激勵信號,并計算求解區(qū)域的原始敏感場;獲取每個求解單元的中心坐標和所有電極對的相對點坐標,并根據(jù)求解單元的中心坐標和電極對的相對點坐標確定抗噪聲算子;根據(jù)原始敏感場和抗噪聲算子確定優(yōu)化敏感場;根據(jù)優(yōu)化敏感場確定介電常數(shù)分布矩陣,并以介電常數(shù)分布矩陣為灰度值進行成像。上述方法可以解決同面陣列電容傳感器成像時噪聲影響成像效果的問題。
聲明:
“同面陣列電容傳感器成像方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)