本發(fā)明公開了一種氮硅雙修飾石墨烯量子點固態(tài)膜的制備方法。該方法以射頻等離子體增強化學氣相沉積技術作為石墨烯量子點固態(tài)膜生長方法，以高純乙烯作為石墨烯量子點生長的碳源氣體，以硅烷混合氣和高純氮氣分別為石墨烯量子點的生長提供硅元素修飾和氮元素修飾。相對于目前常用的石墨烯量子點制備方法，如電化學法、水熱法、酸氧化法、溶液化學法以及微波超聲等方法，該方法的突出優(yōu)點是石墨烯量子點不是以液態(tài)和膠體態(tài)的形式存在，而是以固態(tài)膜的形式存在且制備工藝同傳統(tǒng)半導體工藝相兼容。本發(fā)明所提出的這種氮硅雙修飾石墨烯量子點固態(tài)膜的制備方法能使石墨烯量子點在太陽能電池、光電探測器以及發(fā)光二極管等半導體器件中得到很好的應用。