本發(fā)明公開一種硒化鎘或硫化鎘二維單晶納米片的制備方法。該方法采用范德華外延生長(zhǎng)技術(shù)制備CdSe或CdS二維單晶納米片，此方法的特征是采用表面光滑且無化學(xué)懸鍵的云母片為襯底，以CdCl2粉末、Se粉或S粉為源材料，氬氣為載氣，在高溫條件下CdCl2蒸氣與Se或S蒸氣反應(yīng)形成CdSe或CdS蒸氣，然后沉積到云母片上形核并外延生長(zhǎng)成為CdSe或CdS二維單晶納米片。該法操作簡(jiǎn)單、成本較低、可控性強(qiáng)，獲得的CdSe或CdS具有尺寸均勻性好、結(jié)晶度高等優(yōu)點(diǎn)，在太陽(yáng)能電池、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、光電探測(cè)器、光催化等領(lǐng)域具有重要的研究?jī)r(jià)值和廣泛的應(yīng)用前景。