本發(fā)明公開(kāi)了一種比率型廣譜性光電免疫傳感器的制備方法，首先制備了片狀MoS₂材料，提升基底的表面積，再通過(guò)化學(xué)沉積法控制時(shí)間在MoS₂上沉積CdS納米顆粒，作為光電極，實(shí)現(xiàn)了可見(jiàn)光下的穩(wěn)定光電流。其次，制備了三維ZnS?Ag₂S納米花來(lái)固定二抗，不僅Ag₂S和CdS之間良好的能級(jí)配對(duì)可以降低光電流的變化信號(hào)，而且HCl處理材料后可釋放Zn²⁺，可以產(chǎn)生電化學(xué)的微分脈沖信號(hào)。本發(fā)明方法克服了單信號(hào)檢測(cè)有不確定性，創(chuàng)造性地構(gòu)建了雙信號(hào)的免疫傳感器，即光電材料的光電信號(hào)響應(yīng)和電化學(xué)探針的電信號(hào)響應(yīng)，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)三種赭曲霉毒素的同時(shí)檢驗(yàn)，并且可以有效降低背景噪音，提高檢測(cè)準(zhǔn)確性。