本發(fā)明屬于探測器芯片制造技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種低表面漏電流臺面型光電探測器及其制作方法，所述方法包括在外延片的頂層沉積掩膜，通過光刻工藝開出臺面刻蝕窗口；采用濕法刻蝕將外延片刻蝕成外延臺面，進(jìn)行表面化學(xué)清洗，去除濕法刻蝕反應(yīng)殘留產(chǎn)物等；采用硫化工藝處理，鈍化外延臺面的側(cè)壁表面，降低其表面態(tài)；使用六甲基二硅胺處理側(cè)壁表面，再涂覆苯并環(huán)丁烯，形成保護(hù)層；在氮氣氣氛保護(hù)下，采用分布升溫固化；刻蝕部分保護(hù)層，使臺面的頂部裸露，根據(jù)蒸發(fā)或濺射方式在接觸層上表面淀積金屬膜，經(jīng)剝離后形成P型電極；將背面減薄，在背面沉積增透膜；采用帶膠剝離制作N電極。本發(fā)明解決臺面型器件由于濕法刻蝕造成的側(cè)壁表面鈍化困難問題。