本發(fā)明涉及半導(dǎo)體紫外光電探測器的技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種AlGaN基日盲紫外雪崩異質(zhì)結(jié)光電晶體管探測器及其制備方法。一種AlGaN基日盲紫外雪崩異質(zhì)結(jié)光電晶體管探測器，其中，包括襯底，利用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積外延外生長法（或分子束外延生長法），依次在襯底上生長的非故意摻雜低溫AlN緩沖層，非故意摻雜高溫AlN緩沖層，非故意摻雜Al_mGa_1?mN窗口層，n型Al_mGa_1?mN層，n型Al_nGa_1?nN組分緩變層，非故意摻雜Al_aGa_1?aN吸收倍增層，非故意摻雜Al_bGa_1?bN吸收倍增層，非故意摻雜Al_cGa_1?cN吸收倍增層,Mg摻雜p型Al_xGa_1?xN層，非故意摻雜Al_xGa_1?xN層,n型Al_yGa_1?yN組分緩變層和n型Al_zGa_1?zN層，以及最后利用器件工藝沉積得到的n型歐姆接觸電極。