本發(fā)明屬于光探測技術領域,具體涉及一種自驅動光電探測器,該自驅動光電探測器,由上至下依次包括金屬In點電極、金屬Pd前電極、硒氧鉍薄膜層和硅單晶基底。硒氧鉍薄膜層通過旋涂法、空氣退火處理、化學氣相沉積、濕法轉移等方法制備。測試結果表明,構建異質結極大地提高了硒氧鉍基器件的光響應性能,且該器件表現出良好的自驅動光探測性能。
聲明:
“基于Bi2O2Se薄膜/Si異質結的自驅動光電探測器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)