本發(fā)明的目的在于提供一種高靈敏度的OTFT?pH傳感器的制作方法及用這種OTFT器件所做的pH驗證。它首先是采用常用的半導體器件的制作工藝，制備出柵極帶有開槽的TFT器件，并對這種器件按現(xiàn)有的封裝工藝進行封裝。通過在柵極開槽的區(qū)域采用電化學沉積電子聚合物膜，制成OTFT?pH傳感器。對制備的器件采用半導體特性測試儀對其在溶液中的pH敏感特性進行測試，發(fā)現(xiàn)在溶液的pH為2到7的范圍內，OTFT器件的閾值電壓與pH之間有著良好的線性關系，其直線的斜率為0.955V/pH。比普通的ISFET器件對H+的靈敏度高出15倍。